Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7555TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Micro8
- Seri / Aile Numarası
- IRF7555
IRF7555TR Hakkında
IRF7555TR, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate uygulaması sayesinde düşük kontrol geriliminde çalışabilir. 55mOhm RdsOn değeri ile enerji kayıplarını minimize eder. Surface mount MICRO8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve sinyal dağıtım uygulamalarında kullanılır. 1.25W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Düşük gate charge (15nC) hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1066pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok