Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7389

IRF7389PBF Hakkında

IRF7389PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen entegre bir N-Channel ve P-Channel MOSFET çiftidir. 30V Drain-Source voltaj değeriyle çalışan bu komponent, logic level gate kontrolüne sahiptir ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanan IRF7389PBF, tamamlayıcı MOSFET çiftleri gerektiren push-pull sürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 2.5W güç dağıtımı kapasitesiyle ve 29mOhm on-resistance değeriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok