Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7379TRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7379

IRF7379TRPBF Hakkında

IRF7379TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ile çalışabilen bu bileşen, 8-SOIC SMD paketinde sunulmaktadır. 5.8A (N-Channel) ve 4.3A (P-Channel) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 45mOhm on-resistance (10V, 5.8A) değeri ile düşük kayıpla anahtarlama sağlar. 2.5W maksimum güç dağıtabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Power management, anahtarlama devreler, DC-DC dönüştürücüler ve gerilim regülatörler gibi uygulamalarda kullanılır. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A, 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok