Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7379TR

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7379

IRF7379TR Hakkında

IRF7379TR, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanal ve P-kanal FET'leri içeren bu komponent, 30V drain-source gerilimi ile çalışmaktadır. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan IRF7379TR, 5.8A (N-kanal) ve 4.3A (P-kanal) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 45mOhm on-state direnç (RDS(on)) ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Dijital kontrol uygulamaları, güç yönetimi, sürücü devreleri ve karşılaştırma anahtarlamalarında kullanılmaktadır. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesinde tasarımlara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A, 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok