Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7379QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7379
IRF7379QTRPBF Hakkında
IRF7379QTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen tümleşik N ve P-Channel MOSFET çiftidir. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup, düşük gerilim uygulamalarında kullanım için optimize edilmiştir. 5.8A (N-Channel) ve 4.3A (P-Channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahip kompakt 8-SOIC paket içerisinde sunulur. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devreleri, power management uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bir transistör çiftidir. Yüksek entegrasyon seviyesi sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok