Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7379PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7379
IRF7379PBF Hakkında
IRF7379PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen komplementer N ve P-Channel MOSFET çifti içeren entegre devredir. 30V Drain-Source gerilim derecesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, 5.8A (N-Channel) ve 4.3A (P-Channel) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 45mOhm açık-devre direnç değeriyle düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bilgisayar anakartları, güç yönetimi devreleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok