Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7379
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7379
IRF7379 Hakkında
IRF7379, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel MOSFET'lerin tek pakette sunulduğu bu komponent, 30V drain-source gerilimi ve 5.8A (N-ch) / 4.3A (P-ch) sürekli dren akımı özelliklerine sahiptir. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-pin SOIC yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve çıkış sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok