Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7343PBF

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7343

IRF7343PBF Hakkında

IRF7343PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual channel MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel yapılandırması ile komplementer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55V drain-source gerilim kapasitesi ve 4.7A (N-channel) / 3.4A (P-channel) sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 50mOhm RDS(on) değeri ve 36nC gate charge karakteristiği ile verimli anahtar işlemi sağlar. 8-SOIC surface mount pakette sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak yer alır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok