Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7341PBF

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7341

IRF7341PBF Hakkında

IRF7341PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 55V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan bileşen, 10V'ta 50mOhm'luk düşük on-resistance değeri sayesinde verimliliği artırır. 36nC gate charge ve 740pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtar yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok