Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7341GTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7341
IRF7341GTRPBF Hakkında
IRF7341GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 5.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 50mΩ düşük on-resistance değeri ile verimli enerji kullanımı sağlar. SMD 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 2.4W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok