Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7329PBF

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7329

IRF7329PBF Hakkında

IRF7329PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen logic level gate özelliğine sahip çift P-Channel MOSFET transistöridir. 12V Drain-Source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 17mOhm on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde bulunan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama kontrol devreleri, motor sürücüleri ve pil yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 57nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3450pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok