Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7313PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7313
IRF7313PBF Hakkında
IRF7313PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel HEXFET Power MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 29mOhm RDS(on) direnci ile düşük konma kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok