Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7311PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7311
IRF7311PBF Hakkında
IRF7311PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 6.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 29mOhm maximum on-state resistance (RDS On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate charge değeri 27nC olup hızlı komütasyon uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok