Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7106

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7106

IRF7106 Hakkında

IRF7106, Infineon Technologies tarafından üretilen tamamlayıcı N-channel ve P-channel MOSFET çiftinin yer aldığı bir transistör dizisidir. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ile 3A (N-channel) ve 2.5A (P-channel) sürekli drenaj akımını destekler. Düşük on-resistance değeri (125mΩ @ 1A, 10V) ile güç kayıplarını minimize eder. 8-SOIC yüzey montajı paketi ile kompakt devre tasarımına uygun olup, güç dağılım sınırlaması 2W'dir. Gate charge 25nC @ 10V olup anahtarlama hızı ve verimlilik açısından dengeli bir karakteristik sunar. Dönemeci (switching) uygulamaları, PWM kontrol devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi genel amaçlı dijital lojik kontrol uygulamalarında kullanılabilir. Parça güncel üretimdeki yeni tasarımlara tavsiye edilmemektedir (obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok