Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7105PBF

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7105

IRF7105PBF Hakkında

IRF7105PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual kanal MOSFET transistörüdür. N-channel ve P-channel transistörleri aynı paket içinde barındıran bu komponent, 25V drain-source voltaj ile çalışır. Sürekli drenaj akımı N-channel için 3.5A, P-channel için 2.3A olarak belirtilmiştir. 100mOhm on-resistance (10V, 1A koşullarında) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRF7105PBF, anahtarlama uygulamaları, push-pull çıkış devrelerinde, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bir komponenttir. 8-SOIC yüzey monte paketlemesi ile sağlanan bu çift MOSFET, tamamlayıcı transistör yapısı ile tamamlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok