Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7104PBF
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7104
IRF7104PBF Hakkında
IRF7104PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V'da 25nC gate charge değerine ulaşır. 250mOhm (10V, 1A) RDS(on) direnci ve 3V maksimum eşik gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 2W maksimum güç dissipasyonu sağlar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok