Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7103
IRF7103Q Hakkında
IRF7103Q, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltaj ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 130mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda verimli çalışır. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve SMPS tasarımlarında kullanıma uygundur. Gate charge değeri 15nC (10V'da) olup hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilebilir. Mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok