Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7102
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7102
IRF7102 Hakkında
IRF7102, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltaj ve 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 300mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 6.6nC gate charge ve 120pF giriş kapasitanslı yapısı hızlı komütasyon özellikleri sağlar. Maksimum 2W güç dissipasyonuna uygundur. Not: Bu ürün kullanım dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok