Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7101PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7101
IRF7101PBF Hakkında
IRF7101PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 3.5A sürekli drenaj akımı sağlayan bu komponent, logic level gate özelliğine sahiptir ve düşük gate gerilimi ile çalıştırılabilir. 100mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama yapılır. Surface mount 8-SO pakette sunulan IRF7101PBF, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrollerinde ve genel amaçlı güç anahtarlaması gereken devreler için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok