Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF5852TR

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
IRF5852

IRF5852TR Hakkında

IRF5852TR, Infineon Technologies tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate sürüş özelliğine sahiptir. SOT-23-6 paketinde sunulan IRF5852TR, 90mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Gate charge değeri 6nC olup, 400pF input kapasitansı (Ciss) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konverterler, motor kontrolü ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok