Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF5851TR
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- IRF5851
IRF5851TR Hakkında
IRF5851TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel ve P-channel MOSFET'lerin bir araya getirildiği dual transistör yapıdır. 20V drain-source voltaj sınırlaması ile çalışan bu bileşen, logic level gate sürümü olarak düşük sürücü voltajlarında kullanılabilir. 2.7A ve 2.2A continuous drain akımı kapasitesi, düşük Rds(on) değeri (90mOhm) ve 6nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Maksimum 960mW güç yutma kapasitesi, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilme özelliği bulunmaktadır. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor denetleyicileri, anahtarlama diyot uygulamaları ve düşük voltaj güç yönetimi devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A, 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok