Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF5851

MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
IRF5851

IRF5851 Hakkında

IRF5851, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel yapılandırmasında sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltaj derecelendirilmesine sahiptir. 2.7A (N-channel) ve 2.2A (P-channel) sürekli dren akımı kapasitesi ile belirtilmiştir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışmaya uygundur. 90mOhm tipik on-state direnç (Rds-on) ve 400pF giriş kapasitansiyle, anahtarlama hızı ve enerji verimliliği için tasarlanmıştır. SOT-23-6 surface mount pakette sunulan IRF5851, mobil şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A, 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok