Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF5850
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- IRF5850
IRF5850 Hakkında
IRF5850, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.2A sürekli drain akımı (Id) ile çalışan bu bileşen, logic level gate uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSOP-6) yüzey montajlı paket ile sağlanan IRF5850, düşük gate yükü (5.4nC) ve 135mΩ on-direnci özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum güç tüketimi 960mW olup, 1.2V gate eşik gerilimi (Vgs(th)) ile hızlı komütasyon sağlar. Güç yönetimi, load switching, motor kontrolü ve genel DC-DC konvertör devrelerinde uygulanabilir. Bileşen üretiminden çekilmiş (obsolete) olup yerini daha yeni versiyonlar almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok