Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF5810TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- IRF5810
IRF5810TRPBF Hakkında
IRF5810TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör çiftidir. 20V drain-source voltajında 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu transistör, düşük kapı voltajlarında çalışmaya uyumludur. 90mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile güç kaybını minimize eder. Surface Mount SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, düşük güç yönetimi, sinyal kontrolü ve analog anahtarlar gibi uygulamalarda kullanılır. 960mW maksimum güç dissipasyonu ile sınırlı güç bütçesi olan tasarımlar için uygundur. Düşük kapı yükü (9.6nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok