Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF5810TR

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
IRF5810

IRF5810TR Hakkında

IRF5810TR, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 90mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sağlar. Surface mount SOT-23-6 (6-TSOP) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, lojik kontrollü güç anahtarları ve düşük voltajlı analog anahtarlamada kullanılır. 960mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok