Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF5810
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- IRF5810
IRF5810 Hakkında
IRF5810, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 90mOhm (4.5V, 2.9A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 960mW maksimum güç dağıtımı, 9.6nC kapı yükü ve 650pF giriş kapasitansı özellikleriyle kompakt uygulamalarda kullanılır. SOT-23-6 yüzey montaj paketi ile küçük alan tasarımlarına uyum sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok