Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF40H233ATMA1
MOSFET N-CH 40V 35A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IRF40H233
IRF40H233ATMA1 Hakkında
IRF40H233ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6.2mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve yüzey montajı teknolojisine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.8W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok