Özel IC'ler
IRF1018EPBF
IRF1018 - 79A, 60V, 0.0084OHM, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- IRF1018E
IRF1018EPBF Hakkında
IRF1018EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 79A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı pratiktir. 8.4mΩ @ 47A, 10V RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 110W güç disipasyonuna dayanıklıdır. 69nC gate charge ve ±20V maksimum gate-source voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok