Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IRD3CH9DB6
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRD3CH9DB6
IRD3CH9DB6 Hakkında
IRD3CH9DB6, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V reverse voltaj kapasiteli ve 10A ortalama doğrultulmuş akım özellikli standart doğrultma diyotudur. Die (chip) formunda sunulan bu bileşen, fast recovery kategorisinde yer almakta olup 154 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. 2.7V @ 10A forward voltage karakteristiği ile güç kaynakları, invertörler, AC-DC dönüştürücüler ve diğer doğrultma uygulamalarında kullanılabilir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 200 nA @ 1200V reverse leakage akımı ve surface mount uyumlu yapısı endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun özellikleri sunar. Parça, üretim süreci tamamlanmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 nA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 154 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok