Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IRD3CH11DB6
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRD3CH11DB
IRD3CH11DB6 Hakkında
IRD3CH11DB6, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV 25A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. Fast recovery tipinde tasarlanan bu bileşen, 190 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formunda sunulan komponent, 2.7V forward voltaj düşüşü ile düşük kayıp özellikleri taşır. -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenli performans sağlayan bu diyot, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yerini bulur. Surface mount uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 700 nA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 190 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7 V @ 25 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok