Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IRD3CH101DB6
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRD3CH101DB
IRD3CH101DB6 Hakkında
IRD3CH101DB6, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2 kV reverse voltaj ve 200 A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip genel amaçlı doğrultucu diyottur. Fast recovery tipinde bu bileşen 360 ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Die formunda sunulan bu diyot, -40°C ile 175°C arasında çalışmaya elverişlidir. 2.7 V forward voltaj düşümü ve 3.6 µA reverse leakage akımı özellikleriyle güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılmaktadır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3.6 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok