Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N10S4L35A
IPG20N10S4L35ATMA1 Hakkında
IPG20N10S4L35ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle işletilir. 35mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, anahtamalı güç kaynakları ve diğer güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok