Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N10S4L35
IPG20N10S4L35AATMA1 Hakkında
IPG20N10S4L35AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 35mΩ drain-source direnci ile verimli enerji transferi sağlar. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-PowerVDFN paketi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu ve iyileştirilmiş ısı yayılımı sunur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok