Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N10S4L22
IPG20N10S4L22ATMA1 Hakkında
IPG20N10S4L22ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 100V drain-source voltajında 20A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8-PowerVDFN SMD pakette sunulan transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük Rds(on) değeri (22mΩ @ 17A, 10V) sayesinde güç kayıpları minimize edilir. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılır. Gate charge değeri 27nC olup, hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok