Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N10S436AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N10S436AA
IPG20N10S436AATMA1 Hakkında
IPG20N10S436AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-TDSON (PowerVDFN) kasa türü ile yüzey monte edilir. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 43W maksimum güç dağıtım kapasitesi, verimli güç elektronikleri tasarımlarında yer almasını sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok