Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L26ATMA1
IPG20N06S4L26ATMA1 Hakkında
IPG20N06S4L26ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj dayanımı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 26mΩ (10V, 17A) on-state direnci ile enerji tasarrufu sağlar. TDSON-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sınırlarına sahiptir. Anahtarlama güç uygulamaları, LED sürücüler, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok