Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L26AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L26
IPG20N06S4L26AATMA1 Hakkında
IPG20N06S4L26AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistörleridir. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli akım kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol gerilimi gerektiren devrelere uygundur. 26mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ısı kaybını minimize eder. Surface mount 8-TDSON paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 33W maksimum güç dağıtımı kapasitesi zorlu ortamlar için uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok