Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L14ATMA2
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L14
IPG20N06S4L14ATMA2 Hakkında
IPG20N06S4L14ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan bileşen, düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 8-PowerVDFN (8-TDSON) paketinde sunulan ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 13.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. Gate charge değeri 39nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı, compact elektronik devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 50W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok