Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L14
IPG20N06S4L14AATMA1 Hakkında
IPG20N06S4L14AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V gate voltajında 39nC gate charge ve 17A'de 13.7mΩ Rds(on) değerlerine sahiptir. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 50W maksimum güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 50W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok