Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L11ATMA2
MOSFET_)40V 60V)
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L11
IPG20N06S4L11ATMA2 Hakkında
IPG20N06S4L11ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj sınırlaması ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu transistör, düşük gate voltajı ile kontrol edilebilir ve 11.2mΩ on-resistance değeri sayesinde ısı kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve otomonas uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface Mount, Wettable Flank montajı ile PG-TDSON-8-10 paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok