Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L11
IPG20N06S4L11ATMA1 Hakkında
IPG20N06S4L11ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol devreleri için tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj sürücüleri tarafından kontrol edilebilir. 11.2mOhm on-direnç (Rds On) değeri ve 65W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-pin PowerVDFN paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok