Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S4L11AATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S4L11
IPG20N06S4L11AATMA1 Hakkında
IPG20N06S4L11AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğiyle düşük kontrol gerilimlerinde çalışabilir. 11.2mOhm (10V, 17A) on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface Mount montajlı 8-pin PowerVDFN paketi, kompakt tasarımlar için uygundur. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok