Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S415ATMA2
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S415ATMA2
IPG20N06S415ATMA2 Hakkında
IPG20N06S415ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj, 20A sürekli drain akımı ve 15.5mOhm on-state direnci ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 8-PowerVDFN SMD paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun dualFET konfigürasyonunda sunulur. Motor kontrol, LED driver, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 50W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok