Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IPG20N06S3L-35

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IPG20N06S3L

IPG20N06S3L-35 Hakkında

IPG20N06S3L-35, Infineon Technologies tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 35mOhm RDS(on) değeri ile enerji kayıpları minimuma indirilmiş, PWM kontrollü motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, ağır yük anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 30W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok