Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S3L-23
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S3L
IPG20N06S3L-23 Hakkında
IPG20N06S3L-23, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 23mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç anahtarlaması ve DC-DC konvertör uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 45W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok