Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S2L65
IPG20N06S2L65ATMA1 Hakkında
IPG20N06S2L65ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim ve 20A sürekli akım kapasitesine sahip logic level gate kontrolüne uyumlu bir komponenttir. 65mOhm (10V, 15A koşullarında) RDS(on) değeri ve düşük gate charge (12nC @ 10V) karakteristiği ile düşük güç kaybında yüksek verimlilik sağlar. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 43W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok