Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S2L65
IPG20N06S2L65AATMA1 Hakkında
IPG20N06S2L65AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük giriş sürücü gerilimi gereksinimi olan sistemlerde tercih edilir. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. İşletme sıcaklığı -55°C ile 175°C arasında değişebilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, LED sürücüleri, güç kaynakları ve robotik sistemlerde yaygın olarak uygulanır. 8-PowerVDFN paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok