Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S2L50AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S2L50
IPG20N06S2L50AATMA1 Hakkında
IPG20N06S2L50AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 55V drain-source voltajında 20A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-PowerVDFN surface mount paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, motor kontrol, şarj kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 51W güç tüketebilir. Geniş sıcaklık aralığı ve düşük gate charge karakteristiği, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 51W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 19µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok