Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N06S2L35
IPG20N06S2L35AATMA1 Hakkında
IPG20N06S2L35AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 55V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 35mΩ on-resistance değeri ile ısıl kayıplar minimize edilir. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, enerji yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 65W güç dissipasyonuna kadir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok