Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S4L18AATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S4L18
IPG20N04S4L18AATMA1 Hakkında
IPG20N04S4L18AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 18mOhm (Rds On) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu bileşen, PG-TDSON-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve düşük gerilim DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok